YMIN dunnefilmcondensatoren vormen een perfecte aanvulling op de CoolSiC™ MOSFET G2 van Infineon
De nieuwe generatie siliciumcarbide CoolSiC™ MOSFET G2 van Infineon is toonaangevend op het gebied van energiebeheer. YMIN dunnefilmcondensatoren, met hun lage ESR-ontwerp, hoge nominale spanning, lage lekstroom, hoge temperatuurstabiliteit en hoge capaciteitsdichtheid, bieden krachtige ondersteuning voor dit product en helpen bij het bereiken van hoge efficiëntie, hoge prestaties en hoge betrouwbaarheid, waardoor het een nieuwe oplossing voor stroomconversie in elektronische apparaten.
Kenmerken en voordelen van YMINDunnefilmcondensatoren
Lage ESR:
Het lage ESR-ontwerp van YMIN dunnefilmcondensatoren verwerkt effectief hoogfrequente ruis in voedingen, als aanvulling op de lage schakelverliezen van CoolSiC™ MOSFET G2.
Hoge nominale spanning en lage lekkage:
De hoge nominale spanning en lage lekstroomkarakteristieken van YMIN dunnefilmcondensatoren verbeteren de hoge temperatuurstabiliteit van CoolSiC™ MOSFET G2 en bieden robuuste ondersteuning voor systeemstabiliteit in zware omgevingen.
Stabiliteit op hoge temperatuur:
De hoge temperatuurstabiliteit van YMIN dunnefilmcondensatoren, gecombineerd met het superieure thermische beheer van CoolSiC™ MOSFET G2, verbetert de systeembetrouwbaarheid en stabiliteit verder.
Hoge capaciteitsdichtheid:
De hoge capaciteitsdichtheid van dunnefilmcondensatoren biedt grotere flexibiliteit en ruimtegebruik bij het systeemontwerp.
Conclusie
YMIN dunnefilmcondensatoren, als de ideale partner voor Infineon's CoolSiC™ MOSFET G2, vertonen een groot potentieel. De combinatie van beide verbetert de betrouwbaarheid en prestaties van het systeem en biedt betere ondersteuning voor elektronische apparaten.
Posttijd: 27 mei 2024